结构形式模块式
安装方式控制室安装
加工定制是
厂家深圳
可售卖地全国
本公司长期回收英飞凌IGBT，回收富士IGBT，回收三菱IGBT，回收功率模块，回收个人剩余IGBT模块，回收项目多余IGBT，回收全新IGBT,收购全部型号。
回收富士IGBT：富士IGBT广泛应用于自动化、电力、建材、纺织、印染、塑胶、食 品、制药、恒压供水等领域深受用户欢迎，在国内电力电子和传动行业举足轻重。
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器件，其输入较为MOSFET，输出较为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双较型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基较电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅较—发射较间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅较通过一层氧化膜与发射较实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅较击穿是IGBT失效的常见原因。
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