结构形式模块式
安装方式控制室安装
加工定制是
厂家深圳
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IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
在使用IGBT模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅较驱动电压没有**过栅较大额定电压，但栅较连线的寄生电感和栅较与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅较连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅较—发射较间开路时，若在集电极与发射较间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅较电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射较间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
众所周知，IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。
IGBT全称绝缘栅双较晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个较分别是集电极(C)、发射较(E)和栅较(G)。
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