芜湖回收富士IGBT报价 回收富士模块 快速上门
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产品描述

结构形式模块式 安装方式控制室安装 加工定制 厂家深圳 可售卖地全国
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IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系。
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IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,降低电路接线电感,进步系统效率,现已开发成功*二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。
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IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,耐过小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。那么该如何根据IGBT的驱动要求设计过流保护呢:
IGBT的过流保护可分为两种情况:
1、驱动电路中无保护功能;
2、驱动电路中设有保护功能。对于种情况,我们可以在主电路中要设置过流检测器件;针对*二种情况,由于不同型号的混合驱动模块,其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同,使用时要根据实际情况恰当选用。对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过封锁驱动信号或者减小栅压来进行保护。
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IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
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