适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
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IGBT 的转移特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏较电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏较电流限制，其值一般取为15V左右。
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
回收三菱IGBT：三菱IGBT模块 是一种N沟道增强型场控(电压)复合元件，它属于少子元件类，兼有功率MOSFET和双极性元件的优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。IGBT有望用于直流电压为1500V的高压变流系统中。
IGBT特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。
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