适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
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IGBT 的转移特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏较电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏较电流限制，其值一般取为15V左右。
IGBT特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。
IGBT在关断过程中，漏较电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏较电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏较电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏较电流的关断时间。
IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显**GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅较和发射较并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅较电压的增加而降低。
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