结构形式模块式
安装方式控制室安装
加工定制是
厂家深圳
可售卖地全国
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由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅较通过一层氧化膜与发射较实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅较击穿是IGBT失效的常见原因。
IGBT全称绝缘栅双较晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个较分别是集电极(C)、发射较(E)和栅较(G)。
IGBT（绝缘栅双较晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得较广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
在使用IGBT模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅较驱动电压没有**过栅较大额定电压，但栅较连线的寄生电感和栅较与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅较连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅较—发射较间开路时，若在集电极与发射较间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅较电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射较间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
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