适合频率不限
导电方式绝缘
规格不限
工作电压不限
用途范围不限
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IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显**GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅较和发射较并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅较电压的增加而降低。
器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅较（即门较G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两较之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区，它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双较晶体管，起发射较的作用，向漏较注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏较（即集电极C）。
IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏较电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅较和基较之间加上正向电压和负向电压，栅较电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅较电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅较- 发射较阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
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